[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-8] AsおよびBの共ドープによるSi中Asクラスターの特性制御

〇筒井 一生¹、松橋 泰平¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、永山 勉²、樋口 隆弘²、加藤 慎一³、谷村 英昭³、室 隆桂之⁴、松下 智裕⁵、森川 良忠⁶ (1.東工大、2.日新イオン機器、3.SCREEN、4.JASRI、5.奈良先端大、6.阪大)

キーワード：共ドープ, 不純物クラスター, 活性化

SiへのAsのドーピングにおいては、空孔の周りに複数の格子置換Asが集まるAsnV型のクラスター構造が形成され電気的不活性化が起こる。この構造の空孔をB原子が置換すると周りのAs原子が活性化することを理論的に予測した。今回、SiにAsとBをイオン注入で共ドープし、放射光を用いた軟X線光電子分光により、クラスター構造の空孔へのBの取り込みを示唆する結果を得た。