[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-9] Si-IGBT作製プロセスにおける水素熱処理の影響

〇(M1)門 龍翔¹、横川 凌^1,2、沼沢 陽一郎^1,2、筒井 一生³、角嶋 邦之³、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研、3.東工大)

キーワード：シリコンゲート絶縁型バイポーラトランジスタ, 水素熱処理

Si-IGBT作製プロセスにおいて、水素熱処理を行うことでトレンチ部分の界面を平坦化し、移動度低下を抑えることが期待できる。一方で、デバイス内部に新たな欠陥準位が生成される。特にSiO₂Si界面状態はデバイス動作に大きく影響し、界面での欠陥準位やラフネス等の評価が重要である。本研究では、Si-IGBT作製プロセスで水素熱処理を施したトレンチゲート部分をラマン分光法を主として評価し、水素熱処理の影響を明らかにすることを目的とする。