[11a-Z10-1~10] 13.3 Insulator technology

[11a-Z10-6] Theoretical study on V_O diffusion in strained Si oxide

Kohei Yata¹, 〇Hiroyuki Kageshima¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:Si oxidation, First-principles calculation

立体型MOSFETにおいて絶縁膜を熱酸化によって形成しようとすると歪みが発生するため、酸化膜絶縁破壊の機構も影響を受けると考えられる。本研究では、絶縁破壊に深く関わる酸化膜中のO空孔(V_O)の基本的な性質への歪みの効果について、酸化膜を結晶であるQuartzとCristobaliteでモデル化し第一原理計算を用いて検討を行って来た。今回は、なぜSi密度が同じだとV_O拡散障壁高さが結晶構造によらず同じなのか、その起源について検討を行った。