[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-11] MOVPE Growth of GaN Thin Films on Annealed Sputtered AlN Templates

〇(M2)Tatsuya Shirato¹, Kenjiro Uesugi², Shigeyuki Kuboya², Kanako Shojiki¹, Hideto Miyake^1,3 (1.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of RIS., Mie Univ.)

Keywords:MOVPE, GaN, HEMT

GaN HEMTにおいて、チャネル層GaNには良好な表面平坦性が求められる。我々はアニール処理スパッタAlN（FFA Sp-AlN）上にMOVPE法でホモエピ成長することで、低い転位密度と良好な表面平坦性を有するAlN膜の作製に成功している。しかし、AlN上GaN成長では三次元成長による表面平坦性の低下が課題であった。本研究では、N₂キャリアガスを用いたFFA Sp-AlN上GaN成長によりGaN薄膜の表面平坦性を向上させた。さらにGaN薄膜上へAlGaN成長を行い、電気的特性を評価した。