[11p-Z03-3~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-Z03-6] SiN Atomic Layer EtchingのHダメージ解析

〇平田 瑛子^1,2、深沢 正永¹、釘宮 克尚¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹、Jomar Tercero²、礒部 倫郎²、伊藤 智子²、唐橋 一浩²、浜口 智志² (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)

キーワード：原子レベルエッチング, ダメージ, プラズマエッチング

近年、超高選択比加工や低ダメージ加工を実現するために、ポリマーの表面吸着と脱離を繰り返すSiNのALE (Atomic Layer Etching)検討が行われている。今回は吸着ステップに使用されるHに着目し、基板ダメージを実験、計算の双方から解析した。特にHを含有したプラズマを用いるALEでは吸着と脱離、両ステップでのイオン侵入深さ制御が重要である事が示唆された。発表では、電気特性結果も含めて報告する。