[11p-Z03-3~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-Z03-8] 拡散及びノックオンによるFの化合物半導体中への侵入

〇小玉 欣典¹、財前 義史¹、深沢 正永¹、釘宮 克尚¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

キーワード：エッチング, プラズマ, ダメージ