[11p-Z09-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[11p-Z09-13] Study of Cu Diffusion Barrier using Mn-doped Co film

〇(M2)Taro Matsudaira¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:Barrier Layer, Sputtering, Cobalt Manganese

我々は、Ta/TaN、Ti/TiNに替わるCu配線バリアメタルの新材料として、CoMnに注目した。本研究では、Si基板上にCoMn/Cu/TiNを堆積し、真空雰囲気で350℃を熱処理した後、TOF-SIMS分析によるCu拡散バリア性の評価を行なった。実験により、CoMn膜がCu拡散を抑制することが確認された。特に、真空雰囲気で200℃プレアニールをした場合、Cu拡散を大きく抑制した。これは、プレアニールによって、Mn酸化物層が界面に偏析し、CoMn合金膜のCu拡散バリア性が高まったと考えられる。