[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-12] ドリフト層の成長レートによる酸化ガリウムショットキーバリアダイオード電気特性の改善

〇林 家弘¹、桝谷 聡士¹、尾林 賢郷¹、タンガラジャ アムタ¹、ティユ クァントゥ¹、大塚 文雄¹、小石川 結樹¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム, ショットキーバリアダイオード