[9p-Z20-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-Z20-16] Thermodynamic Study of Etching Characteristics of HVPE-In₂O₃ Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching

〇Rie Togashi¹, Ryo Kasaba¹, Yuki Ooe¹, Ken Goto², Yoshinao Kumagai², Akihiko Kikuchi¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Univ. of Agri. and Tech.)

Keywords:In2O3, Thermodynamic analysis, HVPE

これまで、水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法をハライド気相成長(HVPE)成長で得られたc-In₂O₃薄膜へ適応しその基本的なエッチング特性について報告している。今回、HEATE法によるHVPE-In₂O₃成長層のエッチング特性について、熱力学解析を用い、他の酸化物半導体結晶であるGa₂O₃, Al₂O₃も加え詳細に比較・検討したので報告する。