[12p-A205-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [12p-A205-6] Study of etching process using CHF3 gas condensed layer in cryogenic region

〇Masahiro Hazumi¹, Suganthamalar Selvaraj², Hsiao Shih-Nan², Sekine Makoto², Hayashi Hisataka^3,2, Sasaki Toshiyuki³, Abe Chihiro³, Tsutsumi Takayoshi², Ishikawa Kenji², Hori Masaru² (1.Nagoya Univ., 2.cLPS, Nagoya Univ, 3.KIOXIA Corp)

Keywords:cycle etching, cryogenic etching, silicon dioxide

3次元型半導体デバイスのプラズマエッチングにおいては、従来よりも高アスペクト比な加工技術が要求されている。そこで我々は極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスを考案した。実験の結果、極低温領域における凝縮層の形成による効果から、SiO2平坦膜において高いエッチング速度が得られた。本講演では、エッチング速度の温度依存性とCHF3ガス導入時間依存性から、そのメカニズムを議論する。