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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-A205-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2020年3月12日(木) 13:45 〜 18:00 A205 (6-205)

太田貴之(名城大)、深沢正永(ソニーセミコンダクタソリューションズ)、岩瀬拓(日立製作所)

16:00 〜 16:15

[12p-A205-9] 高アスペクト比加工に向けたフルオロカーボン系活性種のエッチングへの影響評価

〇谷田知史¹、飯野大輝¹、久保井宗一¹、栗原一彰¹、福水裕之¹ (1.キオクシア)

キーワード：エッチング、SiO2、プラズマ