[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-A305-10] ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析

〇原 拓実¹、吉田 隼¹、北形 大樹¹、山本 修一郎¹、菅原 聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM、低待機時電力