[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-5] コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製

〇(D)渡久地 政周¹、三輪 和希¹、堀切 文正²、福原 昇²、成田 好伸²、市川 磨²、磯野 僚多²、田中 丈士²、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.サイオクス)

キーワード：光電気化学、エッチング、窒化物半導体

光電気化学エッチングを用いたリセスゲート型 AlGaN/GaN HEMT の作製は、素子の伝達特性の向上と閾値電圧の制御の観点から有望である。本報告では、実験系が大幅に簡略化されたコンタクトレス光電気化学エッチングを適用しリセスゲート型ショットキー HEMT を作製したため、その結果について報告する。