[12p-D519-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [12p-D519-7] Strain Evaluation in Si_1-x-yGe_xSn_y Layers on Si Substrate Fabricated by Ion Implantation and Laser Anealing

〇Gai Ogasawara¹, Shota Komago¹, Ryo Yokogawa^1,2, Kazutoshi Yoshioka¹, Naomi Sawamoto¹, John Borland³, Takashi Kuroi⁴, Yoji Kawasaki⁵, Atsushi Ogura^1,6 (1.Meiji Univ, 2.JSPS Research Fellow DC, 3.J.O.B. Technologies, 4.Nissin Ion Equipment, 5.Sumitomo Heavy Industries Ion Technology, 6.Meiji Renewable Energy Lbs)

Keywords:Strain, SiGeSn, Laser annealing

GeはSiと比べて高いキャリア移動度を有するため、次世代チャネル材料として期待されている。歪技術はSiGeチャネルにおいても有効であり、ソース・ドレイン領域にCやSnを導入することで引っ張りや圧縮歪を印加することができる。7 nmノードになるとGe-pMOSにはチャネル領域に2%の等方性圧縮歪、一方でGe-nMOSには2%の等方性引っ張り歪が必要となることが報告されている。また熱負荷を最小限に抑える事で短時間かつ高効率に熱処理が可能なレーザーアニール(LA)が注目を集めている。我々はこれまで、GeやSn又はCをSiGe薄膜にイオン注入し、LA後にラマン分光法を用いて歪評価を行なった。本研究では、デバイス高性能化へ向け、更なる歪量増大を目的にSi基板にGe、Snイオンを注入後、LAを施し、イオン注入および熱処理プロセスによる歪状態の差異を評価した。