The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[13a-A205-1~6] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Fri. Mar 13, 2020 9:00 AM - 10:30 AM A205 (6-205)

Kosuke Takenaka(Osaka Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[13a-A205-3] On-site C2F4 generation from CF4 feedstock gas
using moderate-pressure plasma

〇(M1)Rei Tanaka1, Tomoyuki Tanaka1, Daiki Iino2, Kazuaki Kurihara2, Hiroyuki Fukumizu2, Jouta Fukuhara2, Hisataka Hayashi2, Hiroaki kakiushi1, Kiyoshi Yasutake1, Hiromasa Ohmi1 (1.Osaka Univ., 2.Kioxia Corp.)

Keywords:tetrafluoroethylene, plasma reforming, on-site

テトラフルオロエチレン(C2F4)ガスは、フルオロカーボン薄膜の成膜、ならびにSiO2に対するドライエッチング性能を高度化させる機能性ガスとして期待されている。一方で、C2F4は自己分解重合反応が爆発的に進行するため、高圧充填による使用場所への供給、ならびに大量ストックが困難である。そこで本研究では、廉価、安定、無毒なCF4ガスを中圧域プラズマによって改質し、C2F4ガスのオンサイト生成を試みた。