[13a-A205-1~6] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [13a-A205-3] 中圧域のプラズマを用いたCF₄ガス原料からのC₂F₄のオンサイト生成

〇(M1)田中 領¹、田中 智之¹、飯野 大輝²、栗原 一彰²、福水 裕之²、福原 成太²、林 久貴²、垣内 弘章¹、安武 潔¹、大参 宏昌¹ (1.阪大院工、2.キオクシア)

キーワード：テトラフルオロエチレン、プラズマ改質、オンサイト

テトラフルオロエチレン（C₂F₄）ガスは、フルオロカーボン薄膜の成膜、ならびにSiO₂に対するドライエッチング性能を高度化させる機能性ガスとして期待されている。一方で、C₂F₄は自己分解重合反応が爆発的に進行するため、高圧充填による使用場所への供給、ならびに大量ストックが困難である。そこで本研究では、廉価、安定、無毒なCF₄ガスを中圧域プラズマによって改質し、C₂F₄ガスのオンサイト生成を試みた。