[13a-A205-1~6] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[13a-A205-5] ITO thin films fabricated by hybrid facing-cathode sputtering using dc-rf coupled power supply III

〇Shinichi Morohashi¹ (1.Yamaguchi Univ.)

Keywords:Hybrid facing-cathode sputtering, ITO thin film, DC-RF coupled power supply

ハイブリッド対向スパッタにおいて，DC電源単独或は，DC-RF結合電源使用以外はITO薄膜の成膜時のスパッタ条件を同一にして，可動棒磁石移動距離L=0-93 mmの範囲で，堆積中の基板温度を調べた。DC電源単独とDC-RF結合電源では大きな基板温度の差異はなく，前々回及び前回の応物発表結果と併せ，ハイブリッド対向スパッタとRF-DC結合電源の組み合わせが，低ダメージ成膜に有効であることがわかった。