[13a-A205-1~6] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[13a-A205-5] DC-RF結合電源を用いたハイブリッド対向スパッタによるITO薄膜作製III
-DC電源単独とDC-RF結合電源使用時の堆積中の基板温度比較 -

〇諸橋 信一¹ (1.山口大学)

キーワード：ハイブリッド対向スパッタ、ITO薄膜、DC-RF結合電源

ハイブリッド対向スパッタにおいて，DC電源単独或は，DC-RF結合電源使用以外はITO薄膜の成膜時のスパッタ条件を同一にして，可動棒磁石移動距離L=0-93 mmの範囲で，堆積中の基板温度を調べた。DC電源単独とDC-RF結合電源では大きな基板温度の差異はなく，前々回及び前回の応物発表結果と併せ，ハイブリッド対向スパッタとRF-DC結合電源の組み合わせが，低ダメージ成膜に有効であることがわかった。