9:15 AM - 9:30 AM
△ [13a-A302-2] Electroluminescence from Polar-Plane-Free Faceted InGaN LEDs
Keywords:light emitting diode, nitride semiconductor, polychromatic emission
(-1-12-2)面GaN基板上の極性面フリーな3D LED構造からの電流注入発光を実現した．始めに，(-1-12-2) 面上の平坦なLED構造でドーピング条件を確立した．すなわち，p-GaN層成長時のMg/Ga流量比と成長圧力を適切に設定することで，良好なドーピングプロファイルと(-1-12-2) LEDからの明瞭なEL発光を実現した．続いて，確立したドーピング条件を3D LED構造に適用した．極性面フリーな3D LEDは，その多色発光特性によって平坦LEDよりも広帯域な発光スペクトルを示した．