[13a-A302-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-A302-2] 極性面フリーなマルチファセットInGaN-LEDからの電流注入発光

〇松田 祥伸¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：発光ダイオード、窒化物半導体、多色発光

(-1-12-2)面GaN基板上の極性面フリーな3D LED構造からの電流注入発光を実現した．始めに，(-1-12-2) 面上の平坦なLED構造でドーピング条件を確立した．すなわち，p-GaN層成長時のMg/Ga流量比と成長圧力を適切に設定することで，良好なドーピングプロファイルと(-1-12-2) LEDからの明瞭なEL発光を実現した．続いて，確立したドーピング条件を3D LED構造に適用した．極性面フリーな3D LEDは，その多色発光特性によって平坦LEDよりも広帯域な発光スペクトルを示した．