[13a-B401-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13a-B401-9] Demonstration of acceptor formation in Mg- and N-ions implanted GaN by ultra-high-pressure annealing

〇Hideki Sakurai^1,2,3, Tetsuo Narita⁴, Kazufumi Hirukawa², Shinji Yamada^1,2,3, Akihiko Koura³, Keita Kataoka⁴, Masahiro Horita^1,2, Michal Bockowski^1,5, Jun Suda^1,2, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ., 3.ULVAC ISET, 4.ToyotaCentralR&DLabs, 5.UNIPRESS)

Keywords:GaN, Mg-ions implantation, ultra-high-pressure annealing

より高性能なGaNパワーデバイスを実現するために、任意領域へのp型伝導制御を可能とするMgイオン注入(Mg-I/I)技術は重要である。我々はこれまでMg-I/I後の活性化処理に超高圧アニール(ultra-high-pressure annealing :UHPA)を適用した試料についてホール効果測定を行い、Mgアクセプタ形成の実証を報告してきた。今回、窒素空孔欠陥への補償効果を目的としたMg&Nシーケンシャルイオン注入(Mg&N-I/I)試料についてUHPA処理を行い、ホール効果測定の温度特性評価を行ったので報告する。