[13a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13a-D419-1] Influence of unintentionally incorporated Ar contents on the properties of magnetron-sputtered Al-doped ZnO polycrystalline films

〇Junichi Nomoto¹, Hisao Makino², Tetsuo Tsuchiya¹, Tetsuya Yamamoto² (1.Advanced Coating Technology Research Center, AIST, 2.Research Inst. Kochi Univ. Tech.)

Keywords:Transparent conductive film, Sputtering, Ar

我々はこれまでにマグネトロンスパッタ (MS) で低温成膜されたAl 添加 ZnO (AZO) 透明導電多結晶膜では、膜中に残留したアルゴン (Ar) が残留圧縮応力の増大や電気特性の劣化を引き起こすことを報告している。[[1] J. Nomoto et al., J. Appl. Phys. 124 (2018) 065304. [2] J. Nomoto et al., ACS-Omega 4 (2019) 14526.] 本研究では Ar 残留量をパラメータとして AZO 膜の各種特性に与える影響を検討した。