The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 13, 2020 9:00 AM - 12:15 PM D419 (11-419)

Kentaro Kaneko(Kyoto Univ.)

9:15 AM - 9:30 AM

[13a-D419-2] Characterization of optical property in an MgxZn1-xO/n-ZnO

Haruyuki Endo1, Kazuyuki Meguro1, Takashi Abe1, Kyo Takahashi1, Yasube Kashiwaba2 (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)

Keywords:MgxZn1-xO, Schottky photodiode

我々はこれまでUV-C波長域を選択的に検出可能なPt/MgxZn1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオード型UVセンサの開発を進めてきた。本報告では分光感度改善を目的とし、MgxZn1-xO/n-ZnO構造の内部量子効率について調査するため、分光蛍光光度計、分光光度計および分光エリプソメータ等を使用してMgxZn1-xO/n-ZnOの光学特性を評価したので報告する。