[13a-PA2-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[13a-PA2-2] Fabrication and Characterization of High-k Gate Insulating Films by RF-Sputtering Method

〇Daiki Tezuka¹, Kenshin Narisawa¹, Kiyoshi Uchiyama¹ (1.National Institute of Technology, Tsuruoka College)

Keywords:ferroelectric, dielectric thin films, thin films

近年、ディスプレイの画素制御素子として薄膜トランジスタ(TFT)が用いられている。TFTの絶縁層材料としてSiO₂が主流であったが、高精細化、省電力化を高い水準で確立することは困難となりつつある。そこで、絶縁層をHigh-k材料に置き換えることで高性能なディスプレイの実現が期待される。本研究では、SrNb₂O₆及びBaTa₂O₆に着目し、ゲート絶縁膜用の観点からその電気特性の評価を行った。