[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-11] Fabrication of Vertical Schottky Barrier Diodes on β-Ga₂O₃ Substrates Prepared by Vertical Bridgman Method

〇Chiahung Lin¹, Keigo Hoshikawa^2,3, Atsushi Kajikura³, Quang Tu Thieu¹, Amutha Thangaraja¹, Yuki Uchida¹, Yuki Koishikawa¹, Fumio Otsuka¹, Shinya Watanabe¹, Kohei Sasaki¹, Akito Kuramata¹ (1.Novel Crystal Technology, 2.Shinshu Univ., 3.Fujikoshi Machinery Corp.)

Keywords:Ga2O3, Edge-defined Film-fed Growth method, Vertical Bridgman method

これまで我々のグループでは、Edge-defined Film-fed Growth法（EFG法）を用いてβ-Ga₂O₃基板の大型化・高品質化に取り組んできた。しかしながら、EFG法は高価なIr製るつぼを用いる必要があるため、コスト低減に課題がある。最近、Vertical Bridgman 法（VB法）による高品質なβ-Ga₂O₃基板が実証された。VB法の場合、るつぼ材料はPt-Rh合金であり、EFG法よりも基板の製造コストを低減できる可能性がある。本研究では、EFG法とVB法にて作製した基板を用いて、縦型Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード (SBD) を試作し、その電気特性を比較したので報告する。