[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-9] Fabrication of GaN Thin Films by RF Magnetron Sputtering and The Pressure Dependence of Electrical Resistance

〇Yuki Saito¹, Takuya Miyamoto¹, Yuki Sato¹, Tadashi Ohachi¹, Shinzo Yoshikado¹, Kikuro Takemoto², Hiroyuki Uno², Naoto Kimura², Masanori Takasaki² (1.Doshisha Univ., 2.Yamanaka Hutech Corp.)

Keywords:GaN, Sputtering

RFマグネトロンスパッタを用いて作製したGaN薄膜の電気抵抗について，その測定雰囲気気体の種類，圧力を変化させてそれらの依存性について評価を行った。