The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Code-sharing Session » 【CS.4】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[14p-A303-1~14] 【CS.4】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

Sat. Mar 14, 2020 1:45 PM - 5:30 PM A303 (6-303)

Norifumi Fujimura(Osaka Pref. Univ.), Eisuke Tokumitsu(JAIST)

3:00 PM - 3:15 PM

[14p-A303-6] Improvement of MFSFET characteristics with ferroelectric non-doped HfO2 utilizing Hf interfacial layer

〇(M2)Masakazu Kataoka1, Masaki Hayashi1, Min Gee Kim1, Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Tech)

Keywords:ferroelectric thin film, RF magnetron sputtering, HfO2

強誘電体HfO2薄膜は、Si基板上への形成が可能で、高速かつ低電圧で動作する強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。これまで、我々はHf界面層(IL)による低誘電率界面層の形成を抑制するプロセスに関して報告してきた。今回、Hf界面層を導入し、強誘電性ノンドープHfO2を用いたMFSFET に関する検討を行ったので報告する。