[14p-A401-1~4] New functional memory devices with oxide materials and their physics

[14p-A401-1] DRAM Scaling Trend and Functional Oxide Process Technologies for Memory Devices

〇Yoshihiro Hirota¹ (1.Tokyo Electron Ltd.)

Keywords:semiconductor

近年における半導体デバイスの微細化と高性能化は、モバイルフォンが起爆剤であったと言っても過言ではありません。近い将来、AI/5G/IoTといったシステムの変化により、MPUに代表されるLogic、撮像素子としてのCMOSイメージセンサ、多くデータを高速で扱うためDRAM、NAND Flashメモリは更なる高密度化と高性能化が求められています。本講演では、DRAMを例に挙げこれまでの微細化のトレンドを示し、今後の微細化についての議論と推測を示します。さらに、将来有望視されている機能性酸化物である強誘電特性を示す薄膜Hf-Zr系酸化物のプロセス技術とその特性、その応用例を紹介します。