[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-B401-16] 選択再成長高濃度ボロンドープ層の導入によるALD-Al₂O₃ダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗低減;ドレイン電流密度 | I_DS | > 1 A/mm

〇(B)鈴木 優紀子¹、今西 祥一朗¹、久樂 顕¹、堀川 清貴¹、天野 勝太郎¹、岩瀧 雅幸¹、森下 葵¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、高周波

FETの高周波出力電力密度の向上には、最大ドレイン電流密度I_DSmaxの改善が有効である。TiCを電極に用いた従来構造の2DHGダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗R_C は 9 Ω mmと高く、I_DSmaxの低下の原因であった。本研究ではR_Cの低減のため、TiC層直下に超高濃度ボロンドープ成長層を導入したデバイスを作製し、R_C = 1.1 Ω mm、|I_DSmax| > 1 A/mmが得られた。