[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A201-6] 400 nmレーザーを利用したレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ特性評価

〇西村 辰彦¹、中西 英俊¹、川山 巌^2,3、斗内 政吉²、細井 卓治⁴、志村 考功⁴、渡部 平司⁴ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.京大院エネ科、4.阪大院工)

キーワード：シリコンカーバイド、テラヘルツ波、THz波、フェムト秒レーザー

従来のLTEMでは、計測対象に照射したレーザー光は表面近傍で吸収されるため、材料内部の計測が課題であった。今回、材料内部のキャリアを励起するため、2光子励起を利用したLTEMの原理検証を試みた。バンドギャップ未満の400nmレーザーによる4H-SiCウエハからのTHz波放射を確認した。LTEMがウエハ内部の電流変化を捉える評価技術となりうると考えている。