[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A201-7] 3層構造4H-SiC基板に形成したイオン注入層の非接触・非破壊電気特性測定

〇佐藤 希一¹、藤井 高志^1,3、荒木 努¹、毛利 真一郎¹、石地 耕太朗²、岩本 敏志³、杉江 隆一⁴ (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)

キーワード：SiC、イオン注入、テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリ

我々は3層構造4H-SiCウエハにイオン注入を行い、非接触・非破壊測定を用いて評価することを計画している。今回はAs-Implantation試料の電気特性を評価した。As-Implantationプロファイル値はAs-Grownのものと比べて増加した。注入温度・注入イオン種に関わらず同じ傾向を得た。これは屈折率の幅の広がりが原因だと考えられる。熱処理によって試料が改善されるか今後検討を行う。