[15a-B508-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

△ [15a-B508-3] III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングを用いた導波路型受光器の実証

〇(DC)関根 尚希¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大工)

キーワード：量子井戸インターミキシング、受光器

III-V-OI 基板上の能動・受動集積はエッチング・再成長を用いた手法が報告されているが、プロセスコストを考慮すると再成長不要でモノリシック集積を実現することがより望ましい。そこで我々は、III-V-OI 基板上で量子井戸ミキシングを実現する研究を進めてきた。
本研究では量子井戸インターミキシングを用いることで再成長プロセスを経ずに量子井戸層のバンドギャップを変調し、III-V-OI 基板上において導波路型受光器とパッシブ導波路、グレーティングカプラのモノリシック集積に初めて成功した。