[15a-D411-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D411-10] Analysis of molten KOH etch-pits formed at basal plane dislocations on 4H-SiC

〇Johji Nishio¹, Chiharu Ota¹, Aoi Okada¹, Ryosuke Iijima¹ (1.Toshiba Corp.)

Keywords:basal plane dislocation, partial dislocation, molten KOH etching

溶融KOHエッチングによって形成される基底面転位のエッチピット評価を単一ショックレー型積層欠陥（1SSF）が拡張したPiNダイオードチップおよびバルク基板に対して実施し、エッチピット形状観察や構造解析により1SSF拡張現象に対する更なる理解を深めた。