[15a-D411-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [15a-D411-9] Luminescence Recombination Mechanism in Si Involving Radiation-Induced Defects

〇Shota Asahara¹, Michio Tajima², Yuta Satake¹, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.Meiji Renewable Energy Laboratory)

Keywords:Photoluminescence, Radiation Defects, Luminescence Recombination Mechanism

高効率Si結晶太陽電池やIGBTなどの先端Siデバイスの高性能化に向けてフォトルミネッセンス(PL)法による微量炭素不純物の定量は欠かせない技術である。これまでPL過程において、バンド端発光強度Iと励起光強度LはI ∝Lⁿという関係があり、べき指数nの値は、試料温度、ドーパント濃度によりn=1~2となることが知られている。本講演ではn>2となる特異な現象を発見し、それが照射欠陥を含む発光再結合機構で説明できることを報告する。