[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-PA5-20] Fabrication of 4-inch β-Ga₂O₃ Bulk Substrates and Homoepitaxial Films by EFG and HVPE Methods

〇Chiahung Lin¹, Quang Tu Thieu¹, Ravikiran Lingaparthi¹, Thangaraja Amutha¹, Yuki Uchida¹, Fumio Otsuka¹, Kimiyoshi Koshi¹, Shinya Watanabe¹, Kohei Sasaki¹, Akito Kuramata¹ (1.Novel Crystal Technology)

Keywords:Ga2O3, Edge-defined Film-fed Growth method, halide vapor phase epitaxy

我々のグループでは、Edge-defined Film-fed Growth 法（EFG 法）による 4 インチ径の単結晶β-Ga₂O₃バルク基板およびハライド 気相成長法（HVPE 法）による 2 インチ径のホモエピウエハの作製技術が開発されている。今回は 4 インチバルク基板における結晶品質の改善とその上のホモエピタキシャル成長に成功し たので報告する。