The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Mar 15, 2020 9:30 AM - 11:30 AM PA5 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PA5-21] Inductively coupled plasma sputtering system of oxide semiconductors for large area deposition

Shigeaki Kishida1, Daisuke Matsuo1, Takuya Ikeda1, Yoshitaka Setoguchi1, Yasunori Andoh1 (1.Nissin Electric)

Keywords:Inductively coupled plasma, Sputtering system, large area

これまでに我々はICPスパッタ装置(G1サイズ:320×400 mm)を開発し、本装置で成膜した高密度IGZO膜を用いることで、高信頼性を有するTFTを作製できることを報告している。今回、本装置の大型化検証機として、G4.5サイズ(730×920 mm)のICPスパッタ装置を開発したので、その膜厚、膜質の分布と改善方法について報告する。