[15p-A305-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [15p-A305-7] 塗布膜を用いたレーザードーピング法によるpoly-Si TFT 及びCMOSインバータ回路の製作

〇(B)倉重 貴行¹、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、佐道 泰造¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)

キーワード：薄膜トランジスタ

TFTのチャネル材料として低温ポリシリコン（LTPS）薄膜が用いられている。
結晶性の良いp-Si膜形成のためには真空・高温プロセスを要し、LTPSを用いたフレキシブルディスプレイ製造との低い整合性が問題となっている。本報告では、真空不要な低温ドーピング方式として，溶液塗布を施したLTPS薄膜へのレーザー照射によるドーピングを試み、電気特性を報告する。また、作成したp及びnチャネルTFTでのCMOS回路の形成と動作特性について報告する。