17:15 〜 17:30 △ [10p-N302-14] 顕微フォトリフレクタンス分光法を用いたSi深掘り孔側壁に形成されるプラズマ誘起欠陥層の電子状態解析 〇濱野 誉1,2、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)