16:15 〜 16:30 [12p-N102-11] 高In組成InGaNの分子線エピタキシー成長における高密度窒素ラジカル照射の効果 〇近藤 博基1、桑原 清2、Kumar Dhasiyan Arun1、堀 勝1 (1.名大低温プラズマ、2.片桐エンジニアリング)