[10a-N203-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10a-N203-7] PVT-SiC結晶育成中の基底面転位の成長方向角度依存性

〇柿本 浩一¹、中野 智¹ (1.九大 応力研)

キーワード：炭化ケイ素、シミュレーション、転位

PVT法でSiC結晶を育成する場合、ステップフローモードによる結晶成長を行うために成長方向を[0001]から傾斜させた結晶成長法の報告が行われている。従来の報告では、成長方向が[0001]のみの基底面転位密度の解析結果が報告されている。本報告では、結晶成長方向を[0001]から傾斜させた場合における、結晶成長と冷却過程における熱応力に起因する基底面転位密度の解析を行った。この計算結果をもとに、[0001]と[0001]から傾斜させた場合における転位密度を比較した結果について報告する。