[10p-N304-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-N304-2] Etching behavior of zirconium oxide in acid solutions

〇Yuhei Nemoto¹, Masaaki Hirakawa², Yukako Ikegami² (1.Shibaura Mechatronics Corp., 2.Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation)

Keywords:semiconductor, zirconium oxide, wet etching

ゲート絶縁膜の新規絶縁材料として，高誘電率(High-k)膜の研究がされており，シリコン酸化膜(SiO2)との高い選択比が要求されている．しかし，酸化ジルコニウム(ZrO2)のゲートプロセスにおいて，リン酸によるウェットエッチングに関する報告が殆どされていない．そこで、リン酸と半導体製造工程で主に用いられる酸性水溶液に対するZrO2のエッチング挙動について，評価した結果，他の酸性水溶液と比較して，コロイダルシリカを添加したリン酸でZrO2とSiO2のエッチング選択性の優位性を示すことが出来た．