[10p-S301-1~2] 8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

[10p-S301-2] [プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演] pn 接合構造を用いたシリコン基板へのプラズマ誘起ダメージの評価

〇佐藤 好弘^1,2、柴田 聡¹、占部 継一郎²、江利口 浩二² (1.パナソニック、2.京都大学)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ、ラテラル散乱、pn接合

微細化が進展するにつれ，プラズマ処理中の入射イオンの「確率的な横方向への散乱」の影響は相対的に増大する．従来の電気的分析手法では極微少量の欠陥を横方向と縦（深さ）方向に区別することは困難である．そこで我々は，横方向pn接合の接合距離を変化させたデバイス構造を設計した．この構造を用いて，プラズマ誘起ダメージ生成に伴う接合リーク電流の変化を解析することで，横方向に分布する極微少量欠陥の評価を行った．