[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[11a-N205-6] TiN/Hf_xZr_1−xO₂/Si-MFS作製におけるSiO₂界面層成長の抑制

〇(PC)女屋 崇^1,2,3、生田目 俊秀²、井上 万里²、澤田 朋実²、太田 裕之¹、森田 行則¹ (1.産総研、2.物材機構、3.学振PD)

キーワード：強誘電体HfxZr1−xO2薄膜、金属/強誘電体/半導体構造、原子層堆積法

近年、Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜を用いた強誘電体トランジスタが盛んに研究されている。しかし、金属/強誘電体/半導体 (MFS)構造を形成する際に、HZO膜の成膜及び結晶化アニール工程でHZO/Si界面にSiO₂界面層が形成され、結果として残留分極値の低下や信頼性の劣化に繋がることが報告されている。本研究では、原子層堆積法によるHZO膜の成膜温度及び熱処理温度がSiO₂界面層の形成に及ぼす影響を調べた。