[12a-N102-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [12a-N102-2] Spectroscopic ellipsometry of gallium nitride surface during plasma etching process

〇Rikyu Minami¹, Kenji Ishikawa¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Hiroki Kondo¹, Makoto Sekine¹, Osamu Oda¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:gallium nitride, plasma etching

窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスのプラズマエッチング工程において、エッチング厚さのナノスケール制御が要求される。その手段としてサイクルエッチングは有力であり、その現象把握のため、エッチング中のGaN薄膜の膜厚を実時間で観測することが望ましい。本研究では、ClラジカルとArイオンを交互に供給するGaNサイクルエッチング中の膜厚をその場分光エリプソメトリーを用いて解析した。