[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12a-N102-3] Ar/C₄F₈/SF₆を用いたガス変調サイクルプロセスにおける活性種の挙動2

〇(M2)吉江 泰斗¹、堤 隆嘉²、石川 健治²、堀 勝² (1.名大院工、2.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：プラズマエッチング、半導体、ガス変調サイクルプロセス

高アスペクト比Si孔を形成するため側壁保護膜堆積（C₄F₈）とエッチング（SF₆）を繰り返すガス変調サイクルプロセスにより形状異常の少ないことが示されているが、活性種挙動は解明されていない。本研究ではガス変調するAr/C₄F₈プラズマとAr/SF₆プラズマの電子密度の経時変化を表面波プローブで計測した。ガス切替え後の滞留するガス組成に応じて電子密度に差異を見出し、プロセス条件最適化の指針を示した。