The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12a-N102-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Sun. Sep 12, 2021 9:00 AM - 11:30 AM N102 (Oral)

Mitsuhiro Omura(Kioxia corporation), Kazuo Takahashi(Kyoto Inst. of Tech.)

10:30 AM - 10:45 AM

[12a-N102-6] Evaluation Method of Mechanical Property Change of Silicon Nitride Films Damaged by Plasma Exposure

Takahiro Goya1, Tomohiro Kuyama1,2, Keiichiro Urabe1, Koji Eriguchi1 (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:plasma induced damage, mechanical property, silicon nitride film

プラズマ曝露により絶縁膜中に形成される欠陥は,デバイス特性やその信頼性を劣化させる.代表的絶縁膜であるシリコン窒化膜(SiN膜)の電気的信頼性に関しては,様々な手法が確立されているが,機械的物性に関しては,未だ高精度の解析手法は確立していない.本研究では,低誘電率(low-k)膜のダメージ評価に活用されてきたナノインデンテーション法を発展させ,プラズマ曝露によるSiN膜の機械的物性劣化を解析する手法を提案した.