[12a-N102-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [12a-N102-7] Effect of Atomic Layer Etching Adsorption Layer on Substrate Damage Generation

〇Akiko Hirata^1,2, Masanaga Fukasawa¹, J. U. Tercero², Tomoko Ito², Michiro Isobe², Kazuhiro Karahashi², Satoshi Hamaguchi², Katsuhisa Kugimiya¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp., 2.Osaka Univ.)

Keywords:atomic layer etching, plasma, damage

近年、超高選択比加工や低ダメージ加工を実現するために、ポリマーの表面吸着と脱離を繰り返すSiNのALE (Atomic Layer Etching)検討が行われている。今回はALEの脱離ステップで生成されるダメージに及ぼす吸着ステップの影響を評価した。ALEで生成されるダメージはDHF処理で除去されず、ダメージが残留しやすいことが明らかになった。発表では、表面解析とMD計算を用いて、ダメージ残留の表面反応モデルを報告する。