[12a-N102-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12a-N102-8] Generation and annihilation of plasma-induced defects ~ roles of mobile H ~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Takayoshi Tsutsumi², Masaru Hori² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:mobile-H, defect, ion

先端半導体における欠陥と水素のマネージメントは、デバイス性能と信頼性の両面から極めて重要である。デバイス内の欠陥は、作製に用いるプラズマプロセスによって形成されることが多いが、水素原子（ラジカル）との関連については十分に解明されていない。水素原子は、バルク材の欠陥を生成する一方で、界面におけるダングリングボンド等の欠陥を終端する。したがって、水素原子の振る舞いを理解し制御することが必要である。今回、太陽電池用途の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H) パッシベーション膜付 c-Siウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、a-Si:H/ c-Si界面の欠陥の発生と修復をモバイル水素の観点から考察を進めたので報告する。