[12a-N102-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12a-N102-9] Passivating antireflection properties of i/n a-Si:H/SiN trilayer over c-Si wafer, prepared by PECVD

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Aiko Sato¹, Michael Lozac'h¹, Tatsuya Misawa², Naho Itagaki³, Masaharu Shiratani³ (1.AIST, 2.Saga Univ., 3.Kyushu Univ.)

Keywords:passivation, a-Si:H, SiN

太陽電池等のオプトエレクトロニックデバイスでは、反射防止パッシベーション膜が重要な役割を担う。反射防止パッシベーション膜には、高透明で反射防止性能を有することに加え、下地活性層の表面をパッシベーション（欠陥の不活性化）することが求められる。今回、高効率バックコンタクト型シリコンヘテロ接合太陽電池に適用可能な水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)および窒化シリコン（SiN）から成る反射防止パッシベーション膜の光学特性およびパッシベーション性能を調査したので報告する。