[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12a-N102-9] プラズマCVDによるi/n a-Si:H/SiN反射防止パッシベーション膜の特性

〇布村 正太¹、坂田 功¹、佐藤 愛子¹、ロザック ミカエル¹、三沢 達也²、板垣 奈穂³、白谷 正治³ (1.産総研、2.佐賀大、3.九大)

キーワード：パッシベーション、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜

太陽電池等のオプトエレクトロニックデバイスでは、反射防止パッシベーション膜が重要な役割を担う。反射防止パッシベーション膜には、高透明で反射防止性能を有することに加え、下地活性層の表面をパッシベーション（欠陥の不活性化）することが求められる。今回、高効率バックコンタクト型シリコンヘテロ接合太陽電池に適用可能な水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)および窒化シリコン（SiN）から成る反射防止パッシベーション膜の光学特性およびパッシベーション性能を調査したので報告する。