[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-5] 固相結晶化過程での Sn 添加 In₂O₃ 薄膜における構造・電気・光学特性の温度依存性

〇山本 哲也¹、古林 寛¹、牧野 久雄¹、小林 信太郎²、石川 和彦²、稲葉 克彦² (1.高知工科大総研、2.(株)リガク)

キーワード：透明導電酸化物薄膜、固相結晶化法、酸化インジウム

我々は反応性プラズマ蒸着法により成膜された In₂O₃ 系透明導電膜の固相結晶化効果を検討している. 固相結晶化法とは基板上にアモルファス状態の薄膜を成膜し, その後, 熱アニールなどで多結晶状態の薄膜を得る方法である. 本研究では熱アニールを用い、その条件は大気圧開放系で、昇温割合 5℃/min （非平衡状態）とし、 300 ℃ までの温度領域とした。本発表では熱アニールの構造・電気・光学特性への効果を議論する.